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我国科学家开创第三类存储技术

2018-04-12 07:52 来源:证券时报APP

据科技日报12日消息,日前从复旦大学微电子学院获悉,该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术,不仅可以实现“内存级”的数据读写速度,还可以按需定制存储器的数据存储周期。

此次研发的第三代电荷存储技术,写入速度比目前U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功耗,同时还可以实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

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